Zurück zu Diodes Incorporated

Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung

Der 80-V-PNP-Transistor für mittlere Leistung BC53-16PAWQ von Diodes Inc. ist in einem kompakten DFN2020-3-Gehäuse erhältlich, dessen Grundfläche im Vergleich zu einem SOT-23-Gehäuse 50 % kleiner ist. Dieses Gerät hat eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -80 V und einen Nenn-Kollektorstrom (IC) von -1 A. Das Bauteil BC53-16PAWQ von Diodes Inc. hat eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von weniger als 500 mV bei 0,5 A und wird in einem flachen Gehäuse (0,62 mm Höhe) für dünne Anwendungen geliefert.

Merkmale

  • Durchbruchspannung von >-80 V, Kollektor-Emitter, offene Basis (BVCEO)
  • Hoher Dauerkollektorstrom (IC): -1 A
  • Spitzenimpuls-Kollektorstrom (ICM): -2 A
  • Niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von < -500 mv="" bei="">
  • Verlustleistung (PD): 0,5 W
  • Transistorstromverstärkung (hFE): 100 A (minimal)
  • Flaches Gehäuse mit einer Höhe von 0,62 mm (typisch) für dünne Applikationen
  • Seitenwandverzinnung für benetzbare Flanken im AOI
  • Der Footprint von 4 mm2 ist um 50 % kleiner als bei einem SOT-23-Gehäuse
  • Der ergänzende NPN-Typ ist BC56-16PAWQ
  • Bleifrei und RoHS-konform
  • Halogen- und antimonfreies, umweltfreundliches Gerät
  • Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungskontrolle erfordern; geprüft nach AEC-Q101, PPAP-fähig und hergestellt in einem nach IATF16949 zertifizierten Werk

Technische Daten

  • W-DFN2020-3-Gehäuse
  • Nennhöhe des Gehäuses: 0,6 mm
  • Formgepresstes Kunststoffgehäuse
  • Grün gefärbte Formmasse
  • Brennbarkeitsklasse: UL 94V-0
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 gemäß J-STD-020
  • Maximale Löttemperatur von +260 °C für 30 s gemäß JEDEC J-STD-020
  • Matte Zinn-Finish-Anschlüsse, lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208
  • Gewicht: 0,01 g (ca.)

Gehäuseabmessungen

Tabelle - Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-22 | Aktualisiert: 2025-10-07