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BC53-16PAWQ-7

Name: Diodes Incorporated BC53-16PAWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-BC53-16PAWQ-7
Price: 0.47 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-BC53-16PAWQ-7

Herst.- Nr.:

BC53-16PAWQ-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Pwr Mid Perf Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BC53-16PAWQ-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.47	CHF 0.47
	CHF 0.288	CHF 2.88
	CHF 0.194	CHF 19.40
	CHF 0.14	CHF 70.00
	CHF 0.124	CHF 124.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.089	CHF 267.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	W-DFN2020-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	500 mV
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	150 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

BC53-16PAWQ-7 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

BC53-16PAWQ 80 V PNP-TRANSISTOR mittlerer Leistung

Der 80-V-PNP-Transistor für mittlere Leistung BC53-16PAWQ von Diodes Inc. ist in einem kompakten DFN2020-3-Gehäuse erhältlich, dessen Grundfläche im Vergleich zu einem SOT-23-Gehäuse 50 % kleiner ist. Dieses Gerät hat eine Kollektor-Emitter-Spannung (V_CEO) von -80 V und einen Nenn-Kollektorstrom (I_C) von -1 A. Das Bauteil BC53-16PAWQ von Diodes Inc. hat eine niedrige Sättigungsspannung (V_CE(sat)) von weniger als 500 mV bei 0,5 A und wird in einem flachen Gehäuse (0,62 mm Höhe) für dünne Anwendungen geliefert.