Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET ist ein 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET, der mit einem Profil von 0,6 mm und einem Footprint von 4 mm² ausgelegt ist. Der DMT3006LFDF-7 MOSFET reduziert den Einschaltwiderstand, während gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechterhalten wird. Außerdem ist der DMT3006LFDF-7 gemäß den AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand von 5,8 bis 15 mΩ, eine Gate-Schwellspannung von 1 bis 3 V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 12,5 bis 14,1 A und eine Verlustleistung von 2,1 W. Die Schaltleistung umfasst eine Ausschalt-Abfallzeit von 4,6 ns, eine Einschalt-Anlaufzeit von 5,5 ns, eine typische Ausschaltverzögerungszeit von 13,5 ns, eine typische Einschaltverzögerungszeit von 3,5 ns und eine Sperrverzögerung von 19,3 ns. Durch seine Bauweise eignet sich der DMT3006LFDF-7 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET hervorragend für Energiemanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.