Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

DMT3006LFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT3006LFDF-7
Price: 0.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMT3006LFDF-7

Herst.- Nr.:

DMT3006LFDF-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Datenblatt:

DMT3006LFDF-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7

Auf Lager: 35 089

Lagerbestand:: 35 089 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.599	CHF 0.60
	CHF 0.371	CHF 3.71
	CHF 0.257	CHF 25.70
	CHF 0.196	CHF 98.00
	CHF 0.176	CHF 176.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.137	CHF 411.00
	CHF 0.129	CHF 774.00
	CHF 0.122	CHF 1 098.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-2020-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	14.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	16.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6.750 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DMT3006LFDF-7 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

DMT3006LFDF-7 n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET ist ein 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET, der mit einem Profil von 0,6 mm und einem Footprint von 4 mm² ausgelegt ist. Der DMT3006LFDF-7 MOSFET reduziert den Einschaltwiderstand, während gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechterhalten wird. Außerdem ist der DMT3006LFDF-7 gemäß den AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand von 5,8 bis 15 mΩ, eine Gate-Schwellspannung von 1 bis 3 V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 12,5 bis 14,1 A und eine Verlustleistung von 2,1 W. Die Schaltleistung umfasst eine Ausschalt-Abfallzeit von 4,6 ns, eine Einschalt-Anlaufzeit von 5,5 ns, eine typische Ausschaltverzögerungszeit von 13,5 ns, eine typische Einschaltverzögerungszeit von 3,5 ns und eine Sperrverzögerung von 19,3 ns. Durch seine Bauweise eignet sich der DMT3006LFDF-7 30V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET hervorragend für Energiemanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.