Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal- MOSFETs im Anreicherungsmodus

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige GATE -Schwellenspannung während gleichzeitig ein überlegenes Betriebsverhalten beibehalten wird. Diese Bauteile eignen sich hervorragend für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen. Die MOSFETs der Baureihe DMP3014SFDE von Diodes Inc. sind in einem U-DFN2020-6-Gehäuse erhältlich.

Merkmale

  • Niedrige GATE-Schwellenspannung
  • Niedriger On-Widerstand
  • GATE mit ESD-Schutz
  • „Grünes“ Gerät ohne Halogen und Antimon
  • Für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungsüberwachung erfordern
  • Bleifreie Ausführung; RoHS-konform

Applikationen

  • Allzweck-Schnittstellenschalter
  • Energiemanagementfunktionen

Technische Daten

  • U-DFN2020-6-Gehäuse
  • Geformter Kunststoff, Verpackungsmaterial aus „grüner“ Formmasse
  • UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
  • Feuchteempfindlichkeit 1 gemäß J-STD-020
  • Ausführung – mattes Zinn geglüht über Kupfer- Leadframe -Anschlüssen
  • Nach MIL-STD-202, Verfahren 208 lötbar
  • Gewicht: ca. 0,008 Gramm

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal-  MOSFETs im Anreicherungsmodus
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-17 | Aktualisiert: 2025-11-09