DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal- MOSFETs im Anreicherungsmodus

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V-P-Kanal-MOSFETs im Anreicherungsmodus bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige GATE -Schwellenspannung während gleichzeitig ein überlegenes Betriebsverhalten beibehalten wird. Diese Bauteile eignen sich hervorragend für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen. Die MOSFETs der Baureihe DMP3014SFDE von Diodes Inc. sind in einem U-DFN2020-6-Gehäuse erhältlich.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Datenblatt
3 000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Datenblatt
14 918Auf Lager
10 000erwartet ab 16.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel