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Diodes Incorporated 2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren

Die n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren (FETs) 2N7002 von Diodes Incorporated sind für Niederspannungsschaltanwendungen konzipiert. Diese 2N7002 Bauteile zeichnen sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V, einen Dauersenkenstrom (ID) im Bereich von 105 mA bis 210 mA und einen niedrigen On-Widerstand [RDS(on)] im Bereich von 7,5 Ω bis 13,5 Ω aus. Die FETs bieten eine schnellere Schaltleistung mit niedriger Gate-Ladung, die für die Signalverarbeitung, Lastschaltung und Pegelverschiebungsapplikationen geeignet sind. Diese Transistoren von Diodes Inc. sind in einem kompakten SOT-23 Gehäuse untergebracht, wodurch eine effiziente Platzausnutzung für Schaltungsdesigns mit hoher Dichte gewährleistet wird. Darüber hinaus sind die FETs der Baureihe 2N7002 bleifrei, RoHS-konform und für die automatisierte Bestückung ausgelegt.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Kleines oberflächenmontiertes SOT23-Gehäuse
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 gemäß J-STD-020
  • Vollständig RoHS-konform und völlig bleifrei
  • Halogen- und antimonfreies Bauteil aus „Green”-Material

Applikationen

  • Motorsteuerung
  • Energiemanagementfunktionen

Technische Daten

  • Maximale Drain-Source/-Gate-Spannung: 60 V
  • Maximale Gate-Source-Spannung
    • ± 20 V kontinuierlich
    • ± 40 V gepulst
  • Maximal kontinuierlicher Drainstrombereich im stationären Zustand: 105 mA bis 210 mA
  • Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Bodydiode
    • 0,2 A kontinuierlich
    • 0,5 A gepulst
  • Maximaler gepulster Drainstrom: 800 mA
  • Gesamtverlustleistung: 370 mW bis 540 mW
  • AUS-Eigenschaften
    • 70 V typische Drain-Source-Durchschlagspannung
    • Maximaler Drainstrombereich bei null Gate-Spannung: 1,0 µA (+25 °C) bis 500 µA (+125 °C)
    • Maximaler Kriechverlust zwischen Gate und Gehäuse: ± 10 nA
  • EIN-Eigenschaften
    • Gate-Schwellenspannungsbereich: 1,0 V bis 2,5 V
    • Maximaler statischer Drain-Source-Einschaltwiderstandsbereich: 7,5 Ω bis 13,5 Ω
    • Typischer Einschalt-Drainstrom: 1,0 A
    • Minimale Transkonduktanz im Durchlassbetrieb: 80 ms
    • Maximale Diodendurchlassspannung: 1,5 V
  • Dynamische Eigenschaften
    • Maximale Eingangskapazität 50 pF, 22 pF typisch
    • Maximale Ausgangskapazität 25 pF, 11 pF typisch
    • Maximale Rückübertragungskapazität 5,0 pF 2,0 pF typisch
    • 120 Ω typischer Gate-Widerstand
    • 223 pC typische Gesamt-Gate-Ladung
    • 82 pC typische Gate-Source-Ladung
    • 178 pC typische Gate-Drain-Ladung
    • 2,8 ns typische Einschaltverzögerungszeit
    • 3,0 ns typische Einschaltanstiegszeit
    • 7,6 ns typische Abschaltverzögerungszeit
    • 5,6 ns typische Abschaltabfallzeit
  • Maximaler thermischer Widerstand
    • Übergang–Umgebung im Bereich von 241 °C/W bis 348 °C/W
    • Übergang–Gehäuse h91 °C/W
  • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
  • UL 94V-0-geprüfter Spritzguss aus Kunststoff, „Green“-Molding-Compound
  • Mattverzinnte Leitungen, lötbar gemäß MILSTD-202, Methode 208

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Veröffentlichungsdatum: 2025-10-23 | Aktualisiert: 2025-10-31