2N7002 n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren
Die n-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistoren (FETs) 2N7002 von Diodes Incorporated sind für Niederspannungsschaltanwendungen konzipiert. Diese 2N7002 Bauteile zeichnen sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V, einen Dauersenkenstrom (ID) im Bereich von 105 mA bis 210 mA und einen niedrigen On-Widerstand [RDS(on)] im Bereich von 7,5 Ω bis 13,5 Ω aus. Die FETs bieten eine schnellere Schaltleistung mit niedriger Gate-Ladung, die für die Signalverarbeitung, Lastschaltung und Pegelverschiebungsapplikationen geeignet sind. Diese Transistoren von Diodes Inc. sind in einem kompakten SOT-23 Gehäuse untergebracht, wodurch eine effiziente Platzausnutzung für Schaltungsdesigns mit hoher Dichte gewährleistet wird. Darüber hinaus sind die FETs der Baureihe 2N7002 bleifrei, RoHS-konform und für die automatisierte Bestückung ausgelegt.
