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Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um RDS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Eingangskapazität, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen niedrigen Eingangs-/Ausgangskriechverlust und ein extrem kleines Gehäuse für dieOberflächenmontage aus. Der DMN52D0UV MOSFET ist ESD-geschützt, bleifrei, RoHS-konform und Halogen- und antimonfrei. Dieser MOSFET bietet eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C. Typische Applikationen sind Batteriemanagementsysteme, Leistungsmanagementfunktionen und Lastschalter.

Merkmale

  • Dualer N-Kanal-MOSFET
  • Niedriger ON-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung (max. 1V)
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Niedriger Eingangs-/Ausgangskriechverlust
  • Extrem kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
  • ESD-geschützt
  • Bleifrei
  • RoHs-konform
  • Halogen- und antimonfrei

Technische Daten

  • 50VDSS Drain-Source-Spannung
  • ±12VGSS Gate-Source-Spannung
  • 1,2A gepulster Drainstrom
  • 480mA maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Body-Diode
  • -55°C bis 150°C Betriebstemperaturbereich
  • Gehäuse:
    • SOT563
  • UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
  • Gewicht:
    • 0,006 Gramm

Applikationen

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsmanagementfunktionen
  • Lastschalter

Abmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-27 | Aktualisiert: 2023-03-06