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DMN52D0UV-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0UV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0UV-7
Price: 0.31 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN52D0UV-7

Herst.- Nr.:

DMN52D0UV-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

Datenblatt:

DMN52D0UV-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.317 CHF	0.32 CHF
	0.231 CHF	2.31 CHF
	0.146 CHF	14.60 CHF
	0.108 CHF	54.00 CHF
	0.083 CHF	83.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.072 CHF	216.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT563-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	480 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	490 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	38.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.3 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.05 ns

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Datenblatt

DMN52D0UV-7 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um R_DS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Eingangskapazität, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen niedrigen Eingangs-/Ausgangskriechverlust und ein extrem kleines Gehäuse für dieOberflächenmontage aus. Der DMN52D0UV MOSFET ist ESD-geschützt, bleifrei, RoHS-konform und Halogen- und antimonfrei. Dieser MOSFET bietet eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C. Typische Applikationen sind Batteriemanagementsysteme, Leistungsmanagementfunktionen und Lastschalter.