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Diodes Incorporated DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

Der DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET von Diodes Incorporated wurde entwickelt, um RDS (ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, eine geringe Eingangskapazität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein ESD-geschütztes Gate aus. Der DMN52D0LT-MOSFET bietet geringe Eingangs-/Ausgangskriechverluste und ist AEC-Q100/101/104/200-zertifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Motorantriebe, Power-Management-Funktionen und Lastschaltungen.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Geringe Eingangs-/Ausgangskriechverlust
  • ESD-geschütztes Gate
  • Bleifrei
  • RoHs-konform
  • Halogen- und antimonfrei

Technische Daten

  • 50 VDSS Drain-Source-Spannung
  • ±12 VGSS Gate-Source-Spannung
  • 1,2 A gepulster Drainstrom
  • 350 mA maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Body-Diode
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
  • Gehäuse:
    • SOT523
  • UL-Entflammbarkeitsklassifizierung 94V-0
  • Gewicht:
    • 0,002 Gramm

Applikationen

  • Motorantriebe
  • Leistungsmanagement-Funktionen
  • Lastschaltung

Abmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2022-12-27 | Aktualisiert: 2023-01-09