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DMN52D0LT-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0LT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0LT-7
Price: 0.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN52D0LT-7

Herst.- Nr.:

DMN52D0LT-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K

Datenblatt:

DMN52D0LT-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.235	CHF 0.24
	CHF 0.145	CHF 1.45
	CHF 0.09	CHF 9.00
	CHF 0.067	CHF 33.50
	CHF 0.059	CHF 59.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.038	CHF 114.00
	CHF 0.033	CHF 792.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT523-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	350 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	490 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	41 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.3 ns

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Datenblatt

DMN52D0LT-7 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

Der DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET von Diodes Incorporated wurde entwickelt, um R_{DS (ON)} zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, eine geringe Eingangskapazität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein ESD-geschütztes Gate aus. Der DMN52D0LT-MOSFET bietet geringe Eingangs-/Ausgangskriechverluste und ist AEC-Q100/101/104/200-zertifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Motorantriebe, Power-Management-Funktionen und Lastschaltungen.