MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120

I MOSFET di potenza in carburo di silicio SCTx0N120 STMicroelectronics sono prodotti utilizzando materiali a banda larga avanzati e innovativi. Questo consente una resistenza senza pari in stato attivo per unità di area ed eccellenti prestazioni di commutazione praticamente indipendenti dalla temperatura. Le eccellenti proprietà termiche del materiale in SiC e il package esclusivo HiP247™ consentono ai progettisti di utilizzare strutture standard del settore con caratteristiche termiche migliorate in modo significativo. Queste caratteristiche rendono i dispositivi perfettamente adatti per le applicazioni con elevata densità di potenza e a elevata efficienza.
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Tipi di Transistor
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Risultati: 43
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
2 309A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Scheda dati
7A magazzino
60019.02.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Scheda dati
38A magazzino
1 200In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
540A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
448A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
301A magazzino
600In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Scheda dati
259A magazzino
60019.03.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
614A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Scheda dati
246A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Scheda dati
106A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
481A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Scheda dati
1 414A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
22A magazzino
1 00029.01.2027 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
13A magazzino
1 200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
11A magazzino
600In ordine
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Scheda dati
128A magazzino
60002.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
32A magazzino
1 20029.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Scheda dati
733A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Scheda dati
334A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Scheda dati
1 301A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Scheda dati
4 893A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
12A magazzino
1 00029.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Scheda dati
14A magazzino
1 80029.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Scheda dati
5A magazzino
60016.04.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel