Transistor integrati con resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN

I transistor incorporati (BRT) del resistore di polarizzazione per il settore automobilistico RN di Toshiba sono qualificati AEC-Q101 e ottimizzati per applicazioni di commutazione, circuito inverter, interfacciamento e circuito driver. Il resistore di polarizzazione è integrato, riducendo il numero di parti esterne richieste e diminuendo le dimensioni e i tempi di assemblaggio del sistema. I resistori di polarizzazione automotive RN di Toshiba offrono un'ampia gamma di resistenze per adattarsi a vari progetti di circuiti.

Tutti i risultati (163)

Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS
Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41 033A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 8 000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37 368A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 942A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 1 948A magazzino
6 00014.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6 210A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 4 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 634A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 953A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2 715A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 985A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 998A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4 724A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 662A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 4 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 617A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F 5 950A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 700A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 4 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 30 270A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 4 000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 6 294A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Diodi di protezione ESD/Diodi TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 2 113A magazzino
6 00010.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723) 6 107A magazzino
8 00014.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 8 000

Toshiba Transistor digitali AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11 084A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5 764A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Toshiba Transistor bipolari - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7 585A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000