CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung VGS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

Ergebnisse: 45
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 7Auf Lager
3 750Auf Bestellung
Cut-Tape
26.88 CHF
21.53 CHF
18.61 CHF
16.45 CHF
Reel
16.45 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 176Auf Lager
14.65 CHF
8.56 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 215Auf Lager
10.54 CHF
5.84 CHF
5.59 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
720erwartet ab 17.12.2026
34.06 CHF
29.04 CHF
23.96 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U07 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 172Auf Lager
10.55 CHF
5.85 CHF
5.44 CHF
5.03 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 810Auf Lager
3 000Auf Bestellung
Cut-Tape
33.55 CHF
28.60 CHF
23.61 CHF
Reel
23.61 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1.2 kV 257 A 7.5 mOhms 4.2 V - 55 C + 175 C 1.172 kW CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 1 443Auf Lager
Cut-Tape
16.07 CHF
10.19 CHF
9.52 CHF
Reel
9.52 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 524Auf Lager
Cut-Tape
35.63 CHF
27.80 CHF
25.96 CHF
Reel
25.96 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1 690Auf Lager
Cut-Tape
11.79 CHF
6.83 CHF
6.70 CHF
Reel
6.38 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1 081Auf Lager
750erwartet ab 13.05.2027
Cut-Tape
9.99 CHF
7.23 CHF
6.02 CHF
5.37 CHF
Reel
5.02 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 911Auf Lager
Cut-Tape
9.29 CHF
5.20 CHF
5.01 CHF
4.68 CHF
Reel
4.68 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 316Auf Lager
750erwartet ab 05.11.2026
Cut-Tape
7.80 CHF
4.29 CHF
3.99 CHF
3.72 CHF
Reel
3.72 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2 294Auf Lager
Cut-Tape
6.85 CHF
3.72 CHF
3.42 CHF
3.34 CHF
Reel
3.14 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 672Auf Lager
Cut-Tape
19.64 CHF
13.16 CHF
12.29 CHF
Reel
12.29 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 450Auf Lager
Cut-Tape
16.00 CHF
11.94 CHF
10.32 CHF
9.78 CHF
Reel
9.14 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267Auf Lager
15.32 CHF
11.67 CHF
9.73 CHF
8.66 CHF
8.10 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 238Auf Lager
10.02 CHF
7.24 CHF
6.04 CHF
5.37 CHF
5.03 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 1 428Auf Lager
8.31 CHF
4.52 CHF
4.17 CHF
3.78 CHF
3.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 600Auf Lager
1 000erwartet ab 15.10.2026
Cut-Tape
31.10 CHF
25.38 CHF
22.43 CHF
22.30 CHF
Reel
20.94 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2 083Auf Lager
Cut-Tape
22.36 CHF
15.44 CHF
15.41 CHF
14.56 CHF
Reel
13.59 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 28Auf Lager
480Auf Bestellung
17.27 CHF
12.90 CHF
11.15 CHF
9.87 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 44Auf Lager
240erwartet ab 03.11.2026
12.74 CHF
9.70 CHF
8.08 CHF
7.20 CHF
6.73 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 78Auf Lager
240erwartet ab 11.02.2027
10.37 CHF
7.73 CHF
6.44 CHF
5.73 CHF
5.36 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245Auf Lager
Cut-Tape
14.34 CHF
10.92 CHF
9.11 CHF
8.12 CHF
Reel
7.57 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 603Auf Lager
Cut-Tape
10.90 CHF
6.65 CHF
6.52 CHF
Reel
6.21 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement