MOSFET SiC – Mouser Svizzera

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MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

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Codice

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.78 CHF
798A magazzino
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IMBG65R075M2HXTMA1

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726-IMBG65R075M2HXTM

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MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

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- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.19 CHF
762A magazzino
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IMLT65R075M2HXTMA1

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726-IMLT65R075M2HXTM

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MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

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+ 175 C

187 W

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CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 5.30 CHF
849A magazzino
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IMT65R075M2HXUMA1

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726-IMT65R075M2HXUMA

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TOLL-8

650 V

75 mOhms

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.38 CHF
156A magazzino
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IMTA65R075M2HXTMA1

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726-IMTA65R075M2HXTM

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MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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156A magazzino

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30 A

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- 55 C

+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.67 CHF
262A magazzino
24012.08.2026 previsto
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IMW65R075M2HXKSA1

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726-IMW65R075M2HXKSA

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TO-247-3

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1 Channel

650 V

26.6 A

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- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

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+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.44 CHF
183A magazzino
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IMZA65R075M2HXKSA1

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726-IMZA65R075M2HXKS

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3.13 CHF

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650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 12.35 CHF
1 930A magazzino
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IMT65R020M2HXUMA1

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726-IMT65R020M2HXUMA

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HSOF-8

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650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 21.10 CHF
256A magazzino
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IMBG65R010M2HXTMA1

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726-IMBG65R010M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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13.58 CHF

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650 V

158 A

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- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 11.29 CHF
940A magazzino
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IMBG65R026M2HXTMA1

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726-IMBG65R026M2HXTM

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MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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8.59 CHF

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6.38 CHF

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650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9.31 CHF
280A magazzino
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IMBG65R033M2HXTMA1

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726-IMBG65R033M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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280A magazzino

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9.31 CHF

6.80 CHF

5.95 CHF

5.47 CHF

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5.02 CHF

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: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6.37 CHF
416A magazzino
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Produttore Codice prodotto
IMBG65R060M2HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG65R060M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

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416A magazzino

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6.37 CHF

3.88 CHF

3.44 CHF

3.23 CHF

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2.89 CHF

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1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 13.74 CHF
901A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMDQ65R015M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMDQ65R015M2HXUM

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Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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901A magazzino

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13.74 CHF

10.20 CHF

9.48 CHF

Nastrati

8.97 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 13.90 CHF
499A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMDQ65R020M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMDQ65R020M2HXUM

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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499A magazzino

Nastro continuo

13.90 CHF

10.58 CHF

8.81 CHF

7.86 CHF

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7.44 CHF

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: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8.87 CHF
929A magazzino
1 80001.10.2026 previsto
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Produttore Codice prodotto
IMLT65R033M2HXTMA1

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726-IMLT65R033M2HXTM

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Infineon Technologies

MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

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929A magazzino

1 80001.10.2026 previsto

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8.87 CHF

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5.00 CHF

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4.59 CHF

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: 1 800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 19.29 CHF
840A magazzino
2 00028.01.2027 previsto
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMT65R010M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMT65R010M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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840A magazzino

2 00028.01.2027 previsto

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19.29 CHF

15.43 CHF

13.35 CHF

12.64 CHF

12.34 CHF

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11.97 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 10.86 CHF
538A magazzino
2 000In ordine
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IMT65R026M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMT65R026M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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538A magazzino

2 000In ordine

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10.86 CHF

8.10 CHF

6.75 CHF

6.01 CHF

6.00 CHF

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5.69 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 9.29 CHF
2 301A magazzino
2 000In ordine
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Produttore Codice prodotto
IMT65R033M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMT65R033M2HXUMA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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2 301A magazzino

2 000In ordine

Nastro continuo

9.29 CHF

6.72 CHF

5.61 CHF

5.00 CHF

4.99 CHF

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4.73 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 6.03 CHF
870A magazzino
2 000In ordine
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMT65R060M2HXUMA1

Codice Mouser
726-IMT65R060M2HXUMA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

870A magazzino

2 000In ordine

Nastro continuo

6.03 CHF

4.04 CHF

3.25 CHF

2.89 CHF

2.73 CHF

Nastrati

2.58 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9.87 CHF
1 968A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMTA65R026M2HXTMA1

Codice Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Maggiori informazioni

Scheda dati

1 968A magazzino

Nastro continuo

9.87 CHF

7.36 CHF

6.13 CHF

5.58 CHF

Nastrati

5.17 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8.58 CHF
1 712A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMTA65R033M2HXTMA1

Codice Mouser
726-IMTA65R033M2HXTM

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2

Maggiori informazioni

Scheda dati

1 712A magazzino

Nastro continuo

8.58 CHF

5.92 CHF

5.09 CHF

4.63 CHF

Nastrati

4.29 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 20.43 CHF
259A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMW65R010M2HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R010M2HXKSA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

Maggiori informazioni

Scheda dati

259A magazzino

20.43 CHF

13.16 CHF

Min: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12.16 CHF
538A magazzino
240In ordine
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMW65R026M2HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R026M2HXKSA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

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Scheda dati

538A magazzino

240In ordine

12.16 CHF

9.27 CHF

7.73 CHF

6.88 CHF

6.51 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10.24 CHF
213A magazzino
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
IMW65R033M2HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R033M2HXKSA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Maggiori informazioni

Scheda dati

213A magazzino

10.24 CHF

6.16 CHF

5.41 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7.45 CHF
992A magazzino
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Produttore Codice prodotto
IMW65R060M2HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R060M2HXKSA

Nuovo prodotto

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

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992A magazzino

7.45 CHF

5.24 CHF

4.24 CHF

3.76 CHF

3.37 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 11.57 CHF
11 342A magazzino

Produttore Codice prodotto
IMTA65R020M2HXTMA1

Codice Mouser
726-IMTA65R020M2HXTM

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

11 342A magazzino

Nastro continuo

11.57 CHF

8.10 CHF

6.70 CHF

6.33 CHF

Nastrati

6.33 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W