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Infineon Technologies Eval-1ED3144MC12H-SiC Evaluierungsboard

Infineon Technologies Eval-1ED3144MC12H-SiC Evaluierungsboard ermöglicht die Demonstration des 1ED3144MC12H EiceDRIVER™ isolierten GATE Treiber IC in einer Halbbrücken- Bauform. Mit dem Board können andere pinkompatible ICs aus dem EiceDRIVER 1ED314xMC12H GATE Treiber Produktfamilie ausgewertet werden, indem die GATE Treiber-ICs ersetzt werden.

Das Evaluierungsboard Eval-1ED3144MC12H-SiC von Infineon Technologies wird mit zwei nicht montierten IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1.200 V SiC Trench MOSFETs im TO247-4-Gehäuse geliefert. Anstelle dieser Schalter können beliebige andere gewünschte Schalter verwendet werden, wie z. B. Infineon IGBTs, CoolSiC oder CoolMOS™ Transistoren.

Merkmale

  • Absolut maximale Versorgungsspannung am Ausgang: 35 V
  • Typischer Ausgangsstrom von bis zu ± 6,5 A
  • Der UVLO-Ausgang ist für optimalen Schutz bei bipolaren Versorgungsspannungen auf den GND2-Pin bezogen.
  • Aktive Abschaltung
  • Sehr hohe Gleichtakt-Impulsunterdrückung CMTI > 300kV/us
  • Typische Laufzeitverzögerungen von 40 ns
  • Niedrige IC-zu-IC-Laufzeitverzögerungen
  • Eingangsversorgungsspannung: 3,3 V und 5 V
  • PG-LDSO-8-Paket mit breitem Gehäuse und >8 mm Kriechstrecke
  • GATE Treiber Sicherheitszertifizierung:
    • UL 1577 anerkannt mit ViSo, Prüfung = 6.840 V (RMS) für 1 s, Viso = 5.700 V (RMS) für 60 s
    • Erhöhte Isolierung gemäß IEC 60747-17 mit VIORM = 1.767 V (geplant)

Applikationen

  • Photovoltaik- Umrichter (PV)
  • Energiespeicherung und Batterieaufladung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
  • Schalter -Modus Stromversorgung (SMPS)
  • Industrieantriebe
  • Medizinische

Lieferumfang Kit

  • Eval-1ED3144MC12H-SiC Evaluierungsboard
  • Zwei IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1.200 V SiC Trench MOSFETs zur Bestückung

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Blockdiagramm

Blockdiagramm - Infineon Technologies Eval-1ED3144MC12H-SiC Evaluierungsboard
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-28 | Aktualisiert: 2026-02-02