Infineon Technologies CoolGan™ 600 V E-Modus-Leistungstransistoren

Die CoolGan™ 600V E-Modus-Leistungstransistoren (Enhancement Mode, e-mode) von Infineon Technologies ermöglichen einfachere Halbbrücken-Topologien mit schnellen Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten. Die robusten und zuverlässigen Transistoren sind in hochleistungsfähigen  SMD-Gehäusen erhältlich, um die GaN-Vorteile voll auszuschöpfen. Die Transistoren zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte, eine höhere Betriebsfrequenz sowie eine reduzierte EMI aus. Zu den Applikationen gehören Telekommunikations-/Datenkommunikations-/Server-SNT, drahtloses Laden, Ladegeräte und Adapter.

Merkmale

  • Erweiterungsmodus-Transistor, normalerweise AUS-Schalter
  • Ultraschnelle Schaltung
  • Keine Sperrverzögerungsladung
  • Rückleitungsfähig
  • Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
  • Überlegene Kommutierungsrobustheit
  • Verbessert den Systemwirkungsgrad
  • Verbessert die Leistungsdichte
  • Ermöglicht höhere Betriebsfrequenzen
  • Reduzierung der Systemkosten
  • Reduziert EMI
  • Verfügbare Gehäuse
    • DSO-20-85 oder DSO-20-87
    • LSON-8-1
  • Für Anwendungen in der Industrie gemäß JEDEC-standards (JESD47 und JESD22) qualifiziert
  • Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Industrieapplikationen
  • Telekommunikation
  • Rechenzentrum SNT basierend auf der Halbbrücken-Topologie

Technische Daten

  • 600 V maximale ununterbrochene Drain-Quellenspannung
  • Minimale destruktive Drain-Quellen-Durchschlagspannung: 800 V
  • Gepulste Drain-Quellenspannung
    • 750 V (max.) bei +25 °C
    • 650 V (max.) bei +125 °C
  • 750 V maximale gepulste Schaltungsstoßspannung
  • 14 A bis 31 A maximaler Drain-Quellen-Dauerstrombereich
  • Gepulster Drain-Quellenstrom
    • 60 A maximal bei +25 °C
    • 35 A maximal bei +125 °C
  • 20 mA maximaler Gate-Dauerstrom
  • 2000 mA maximaler gepulster Gate-Strom
  • -10 V minimale Gate-Quellendauerspannung
  • Gepulste Gate-Quellenspannung von mindestens -25 V
  • 114 W oder 125 W maximale Verlustleistung
  • 200 V/ns maximale Drain-Quellenspannungsanstiegsrate
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Veröffentlichungsdatum: 2023-02-13 | Aktualisiert: 2023-09-08