Infineon Technologies BGAx1A10 LTE-LNA mit Verstärkungsregelung

Infineon Technologies BGAx1A10 Rauscharme LTE-Verstärker (LNA) mit Verstärkungsregelung sind entwickelt, um die Datenübertragungsrate erheblich zu erhöhen. Diese BGAx1A10 LNAs verfügen über eine integrierte Verstärkungsregelung, Bypass-Funktion, hohe Systemflexibilität, einen dynamischen Verstärkungsbereich von 27 dB und eine geringe Rauschzahl. Der Bypass-Modus senkt den Stromverbrauch und die Steuerschnittstelle der mobilen Industrieprozessor-Schnittstelle (MIPI) beschränkt die Anzahl Steuerleitungen auf ein Minimum. Aufgrund der Hochverstärkungsfunktion und höheren Systemflexibilität durch die integrierte Verstärkungsregelung gewährleisten BGAx1A10 LNAs hohe LTE-Datenraten. Diese BGAx1A10 LNAs bieten die beste Rauschzahl im Hochverstärkungsmodus, der hohe Datenraten selbst auf dem LTE-Zellenedge gewährleistet. Die BGAx1A10 LNAs sind ideal für den Einsatz in Smartphones.