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BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 0.31 CHF
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BGAV1A10E6327XTS

Herst.- Nr.:

BGAV1A10E6327XTSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Verstärker RF SILICON MMIC

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

BGAV1A10E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Verstärker
RoHS:
Betriebsfrequenz:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Betriebsversorgungsspannung:	1.7 V to 1.9 V
Betriebsversorgungsstrom:	5 mA
Verstärkung:	22 dB
NF - Noise Figure (Rauschzahl):	1.3 dB
Typ:	Low Noise Amplifiers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	ATSLP-10-3
Technologie:	Si
P1dB - Kompressionspunkt:	3 dBm
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept):	32 dBm
Minimale Betriebstemperatur:	- 30 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Reel
Marke:	Infineon Technologies
Eingaberücklaufverlust:	13 dB
Isolierung dB:	32 dB
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	90 mW
Produkt-Typ:	RF Amplifier
Verpackung ab Werk:	4500
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrequenz:	3.5 GHz
Artikel # Aliases:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Gewicht pro Stück:	2,450 mg

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Datenblatt

BGAV1A10E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8537109899
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BGAx1A10 LTE-LNA mit Verstärkungsregelung

Infineon Technologies BGAx1A10 Rauscharme LTE-Verstärker (LNA) mit Verstärkungsregelung sind entwickelt, um die Datenübertragungsrate erheblich zu erhöhen. Diese BGAx1A10 LNAs verfügen über eine integrierte Verstärkungsregelung, Bypass-Funktion, hohe Systemflexibilität, einen dynamischen Verstärkungsbereich von 27 dB und eine geringe Rauschzahl. Der Bypass-Modus senkt den Stromverbrauch und die Steuerschnittstelle der mobilen Industrieprozessor-Schnittstelle (MIPI) beschränkt die Anzahl Steuerleitungen auf ein Minimum. Aufgrund der Hochverstärkungsfunktion und höheren Systemflexibilität durch die integrierte Verstärkungsregelung gewährleisten BGAx1A10 LNAs hohe LTE-Datenraten. Diese BGAx1A10 LNAs bieten die beste Rauschzahl im Hochverstärkungsmodus, der hohe Datenraten selbst auf dem LTE-Zellenedge gewährleistet. Die BGAx1A10 LNAs sind ideal für den Einsatz in Smartphones.

Rauscharme Verstärker-ICs (LNA).

Die rauscharmen Verstärker(LNA)-ICs von Infineon Technologies erhöhen die Datenraten und die Empfangsqualität von Wireless-Applikationen durch die Nutzung eines sehr stromsparenden Signals ohne wesentliche Beeinträchtigung des Signal-Rausch-Verhältnisses. Die bessere Empfängerempfindlichkeit verbessert das Benutzererlebnis und erfüllt die Marktanforderungen. Diese hochintegrierten Bauteile in einem kleinen Gehäuse verfügen über einen ESD-Schutz und einen geringen Stromverbrauch, wodurch sie sich hervorragend für batteriebetriebene Mobilgeräte eignen. Nutzer von 4G/5G-, GPS-, Mobile- TV-, Wi-Fi- und FM-fähigen tragbaren Bauteilen profitieren von hohem Datenempfang, schneller und präziser Navigation sowie flüssigem und qualitativ hochwertigem Streaming selbst bei schlechtesten Empfangsbedingungen.