MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2

Les MOSFET CoolSiC™ G2 de 650 V au carbure de silicium d'Infineon Technologies tirent parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure, ce qui se traduit par une efficacité supérieure lors de la conversion d'énergie.Les MOSFET CoolSiC 650 V G2 d'Infineon offrent des avantages pour diverses applications de semiconducteur d'alimentation comme le photovoltaïque, le stockage d'énergie, le chargement de VE CC, les entraînements à moteur et les alimentations électriques industrielles. Une station de chargement rapide CC pour véhicules électriques équipée du CoolSiC G2 permet de réduire les pertes d'énergie de 10 % par rapport aux générations précédentes tout en permettant une capacité de chargement plus élevée sans compromettre les facteurs de forme.

Résultats: 53
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 786En stock
Bande coupée
5.87 CHF
3.14 CHF
2.87 CHF
2.73 CHF
Bobine
2.58 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 731En stock
Bande coupée
5.27 CHF
2.79 CHF
2.56 CHF
2.24 CHF
Bobine
2.24 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 685En stock
Bande coupée
5.38 CHF
2.86 CHF
2.62 CHF
2.30 CHF
Bobine
2.30 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1 958En stock
Bande coupée
10.02 CHF
6.80 CHF
6.22 CHF
5.66 CHF
5.46 CHF
Bobine
5.25 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 1 648En stock
Bande coupée
8.71 CHF
4.85 CHF
4.61 CHF
4.35 CHF
Bobine
4.35 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 972En stock
Bande coupée
5.02 CHF
2.65 CHF
2.63 CHF
2.07 CHF
Bobine
2.07 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 476En stock
6.81 CHF
3.65 CHF
3.36 CHF
2.90 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 1 156En stock
Bande coupée
19.87 CHF
13.37 CHF
13.36 CHF
Bobine
12.65 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 440En stock
Bande coupée
27.52 CHF
20.55 CHF
19.91 CHF
18.36 CHF
Bobine
18.36 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 3 967En stock
Bande coupée
9.38 CHF
5.25 CHF
5.07 CHF
4.80 CHF
Bobine
4.80 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 10 334En stock
Bande coupée
11.75 CHF
6.80 CHF
6.43 CHF
Bobine
6.43 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 058En stock
Bande coupée
15.03 CHF
9.35 CHF
Bobine
8.85 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 658En stock
Bande coupée
11.32 CHF
6.48 CHF
Bobine
6.13 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 280En stock
Bande coupée
10.47 CHF
6.29 CHF
6.15 CHF
5.78 CHF
Bobine
5.09 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 416En stock
Bande coupée
6.72 CHF
3.83 CHF
3.52 CHF
3.37 CHF
Bobine
2.93 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 306En stock
3 750Sur commande
Bande coupée
20.40 CHF
13.82 CHF
12.90 CHF
Bobine
12.90 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 253En stock
Bande coupée
13.29 CHF
7.98 CHF
7.55 CHF
Bobine
7.55 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 670En stock
Bande coupée
12.12 CHF
7.09 CHF
6.70 CHF
Bobine
6.70 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 339En stock
3 60005.08.2027 attendu
Bande coupée
11.20 CHF
7.26 CHF
6.49 CHF
5.93 CHF
5.54 CHF
Bobine
5.54 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 849En stock
1 80005.08.2027 attendu
Bande coupée
9.17 CHF
5.13 CHF
4.92 CHF
4.66 CHF
Bobine
4.66 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 742En stock
Bande coupée
7.63 CHF
4.31 CHF
3.97 CHF
3.83 CHF
3.53 CHF
Bobine
3.53 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 763En stock
1 800Sur commande
Bande coupée
6.71 CHF
3.73 CHF
3.43 CHF
3.32 CHF
2.97 CHF
Bobine
2.97 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 727En stock
Bande coupée
5.80 CHF
3.11 CHF
2.85 CHF
2.70 CHF
2.55 CHF
Bobine
2.55 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 273En stock
2 00018.02.2027 attendu
Bande coupée
19.25 CHF
12.83 CHF
12.82 CHF
12.15 CHF
Bobine
12.15 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2 648En stock
Bande coupée
5.93 CHF
4.01 CHF
2.91 CHF
2.77 CHF
2.59 CHF
Bobine
2.59 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement