Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation

Die UJ4C/SC 750 V SiC-FETs der 4. Gen. von Qorvo sind eine Hochleistungs-Baureihe, die branchenweit beste Leistungskennzahlen liefert, die Leitungsverluste senken und die Effizienz bei höherer Geschwindigkeit erhöhen, während sie gleichzeitig die Gesamtkosteneffektivität verbessern. Die Gen 4-Baureihe ist in 5,4 mΩ bis 60 mΩ Optionen erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration, bei der ein Hochleistungs-SiC-JFET mit einem Kaskaden-optimierten Si-MOSFET kombiniert ist, um ein Standard-Gate-Drive-SiC-Bauteil zu bilden. Die Standard-Gate-Drive-Eigenschaften der UJ4C/SC 750 V FETs ermöglichen einen „Drop-in-Ersatz“ -Funktionsumfang. Entwickler können die Systemleistung erheblich verbessern, ohne die Gate-Drive-Spannung zu ändern, indem bestehende Si-IGBTs, Si FETs, SiC-FETs oder Si-Super-Junction-Bauteile durch die UJ4C/SC FETs von Qorvo ersetzt werden.

Ergebnisse: 29
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
Datenblatt
285Auf Lager
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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263
Datenblatt
486Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263
Datenblatt
648Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Datenblatt
640Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Datenblatt
534Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
560Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/5MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2 033Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
699Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2 467Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2 815Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
2 525Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
3 256Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TOLL
Datenblatt
1 266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
Datenblatt
326Auf Lager
600erwartet ab 13.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO247
Datenblatt
591Auf Lager
1 200erwartet ab 20.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247
Datenblatt
249Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO247
Datenblatt
298Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
Datenblatt
445Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263
Datenblatt
1 266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
Datenblatt
1 248Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-
Datenblatt
302Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247
Datenblatt
1 027Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263
Datenblatt
13Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
Datenblatt
18Auf Lager
6 600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263
Datenblatt
287Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET