MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2

Les MOSFET CoolSiC™ G2 de 650 V au carbure de silicium d'Infineon Technologies tirent parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure, ce qui se traduit par une efficacité supérieure lors de la conversion d'énergie.Les MOSFET CoolSiC 650 V G2 d'Infineon offrent des avantages pour diverses applications de semiconducteur d'alimentation comme le photovoltaïque, le stockage d'énergie, le chargement de VE CC, les entraînements à moteur et les alimentations électriques industrielles. Une station de chargement rapide CC pour véhicules électriques équipée du CoolSiC G2 permet de réduire les pertes d'énergie de 10 % par rapport aux générations précédentes tout en permettant une capacité de chargement plus élevée sans compromettre les facteurs de forme.

Résultats: 53
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 900En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Fiche technique
3 344En stock
24024.06.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
256En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
708En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
280En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
416En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
788En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
901En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
489En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Fiche technique
909En stock
1 800Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
814En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
535En stock
2 00004.02.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
2 051En stock
2 00008.04.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
2 858En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
701En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
1 958En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
Fiche technique
1 658En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
2 084En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Fiche technique
221En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Fiche technique
478En stock
24001.10.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
486En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Fiche technique
155En stock
720Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 144 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 889En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
10 334En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
682En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC