MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

Risultati: 53
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 316A magazzino
3 750In ordine
Nastro continuo
21.07 CHF
15.21 CHF
14.00 CHF
13.24 CHF
Nastrati
12.90 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1 900A magazzino
Nastro continuo
12.13 CHF
7.09 CHF
6.70 CHF
Nastrati
6.70 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 3 307A magazzino
24024.06.2027 previsto
10.65 CHF
6.41 CHF
5.59 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 256A magazzino
Nastro continuo
19.87 CHF
13.37 CHF
13.36 CHF
Nastrati
12.65 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 708A magazzino
Nastro continuo
11.32 CHF
6.48 CHF
Nastrati
6.13 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 280A magazzino
Nastro continuo
10.47 CHF
6.29 CHF
6.15 CHF
5.78 CHF
Nastrati
5.09 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 416A magazzino
Nastro continuo
6.72 CHF
3.83 CHF
3.52 CHF
3.37 CHF
Nastrati
2.93 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 788A magazzino
Nastro continuo
5.87 CHF
3.14 CHF
2.87 CHF
2.73 CHF
Nastrati
2.58 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 901A magazzino
Nastro continuo
15.37 CHF
9.62 CHF
9.43 CHF
Nastrati
9.11 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 489A magazzino
Nastro continuo
13.29 CHF
7.98 CHF
7.55 CHF
Nastrati
7.55 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 909A magazzino
1 80003.06.2027 previsto
Nastro continuo
9.17 CHF
5.13 CHF
4.92 CHF
4.66 CHF
Nastrati
4.66 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 804A magazzino
Nastro continuo
5.27 CHF
2.79 CHF
2.56 CHF
2.24 CHF
Nastrati
2.24 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT HDSOP-16 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 535A magazzino
2 00004.02.2027 previsto
Nastro continuo
19.43 CHF
14.41 CHF
13.24 CHF
12.83 CHF
Nastrati
12.15 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2 051A magazzino
2 00008.04.2027 previsto
Nastro continuo
9.38 CHF
5.25 CHF
5.07 CHF
4.80 CHF
Nastrati
4.80 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2 858A magazzino
Nastro continuo
5.93 CHF
4.01 CHF
2.91 CHF
2.77 CHF
2.59 CHF
Nastrati
2.59 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 685A magazzino
Nastro continuo
5.38 CHF
2.86 CHF
2.62 CHF
2.30 CHF
Nastrati
2.30 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 1 958A magazzino
Nastro continuo
10.02 CHF
6.80 CHF
6.22 CHF
5.66 CHF
5.46 CHF
Nastrati
5.25 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2 1 658A magazzino
Nastro continuo
8.71 CHF
4.85 CHF
4.61 CHF
4.35 CHF
Nastrati
4.35 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PG-LHSOF-4 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 2 084A magazzino
Nastro continuo
5.02 CHF
2.65 CHF
2.63 CHF
2.07 CHF
Nastrati
2.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT LHSOF-4 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 191A magazzino
20.74 CHF
13.36 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 718A magazzino
11.99 CHF
6.75 CHF
6.61 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 486A magazzino
6.81 CHF
3.65 CHF
3.36 CHF
2.90 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1 885A magazzino
Nastro continuo
12.12 CHF
7.09 CHF
6.70 CHF
Nastrati
6.70 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 10 334A magazzino
Nastro continuo
11.75 CHF
6.80 CHF
6.43 CHF
Nastrati
6.43 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 681A magazzino
28.20 CHF
19.67 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC