Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

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STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2 309Auf Lager
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: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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7Auf Lager
600erwartet ab 19.02.2027
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: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
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540Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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448Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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301Auf Lager
600Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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247Auf Lager
600erwartet ab 19.03.2027
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SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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596Auf Lager
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: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Datenblatt
246Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
487Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
481Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1 404Auf Lager
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: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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22Auf Lager
1 000erwartet ab 29.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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13Auf Lager
1 200Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
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109Auf Lager
600erwartet ab 07.09.2026
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
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33Auf Lager
600erwartet ab 21.05.2027
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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35Auf Lager
1 200erwartet ab 29.01.2027
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
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727Auf Lager
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Min.: 1
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: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
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334Auf Lager
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Datenblatt
1 301Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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4 893Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
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5Auf Lager
1 200Auf Bestellung
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Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Datenblatt
14Auf Lager
1 800erwartet ab 29.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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5Auf Lager
600erwartet ab 16.04.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Datenblatt
5Auf Lager
600erwartet ab 05.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel