650-V-SiC-Schottky-Dioden

Die 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) von onsemi bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. Diese SiC-Schottky-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und verfügen über eine temperaturunabhängige Schaltung sowie eine hervorragende thermische Leistung. Die Vorteile für das System sind ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, eine niedrige EMI, eine kleine Systemgröße und niedrige Kosten.