MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V

I MOSFET di potenza a trincea   CoolSiC™ M1 da 650 V di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET CoolSiC M1 sono costruiti su un processo all’avanguardia dei semiconduttori a trincea ottimizzato per fornire le minori perdite di applicazione e la   massima affidabilità di funzionamento . Adatti per temperature elevate e operazioni difficili, questi dispositivi consentono l’implementazione semplificata ed economica della massima efficienza di sistema. 

Risultati: 26
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 995A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
335A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
643A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
753A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 019A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
861A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
240A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 751A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
362A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 467A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
313A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
667A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
465A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
314A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
527A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
473A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
235A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
128A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 00015.10.2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 53 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC