650 V CoolSiC™-M1-Trench-Leistungs-MOSFETs

Die 650 V CoolSiC ™ -M1-Trench-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies  kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumcarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements erhöhen. Die CoolSiC-M1-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die  höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsabläufe und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 995Auf Lager
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SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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335Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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643Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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753Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 019Auf Lager
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SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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861Auf Lager
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SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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240Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 751Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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362Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 467Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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313Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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1 000Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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667Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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465Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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314Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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527Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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473Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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235Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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128Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 000
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SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC