Ergebnisse: 40
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
2 247Auf Lager
5.55 CHF
2.96 CHF
2.81 CHF
2.50 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Datenblatt
261Auf Lager
53.63 CHF
42.92 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
310Auf Lager
16.53 CHF
10.82 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
274Auf Lager
13.96 CHF
8.39 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
275Auf Lager
17.86 CHF
11.88 CHF
11.12 CHF
11.05 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
248Auf Lager
12.87 CHF
7.55 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datenblatt
549Auf Lager
3.75 CHF
1.93 CHF
1.75 CHF
1.52 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Datenblatt
211Auf Lager
90erwartet ab 22.12.2026
9.57 CHF
6.16 CHF
5.67 CHF
5.12 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
165Auf Lager
10.38 CHF
6.81 CHF
6.33 CHF
5.71 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V
Datenblatt
300Auf Lager
4.84 CHF
2.55 CHF
2.23 CHF
2.13 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1
Datenblatt
127Auf Lager
19.34 CHF
13.76 CHF
13.75 CHF
13.48 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Datenblatt
962Auf Lager
1 550erwartet ab 02.11.2026
8.44 CHF
5.01 CHF
5.00 CHF
4.74 CHF
4.72 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
Datenblatt
598Auf Lager
8.61 CHF
5.20 CHF
4.72 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
295Auf Lager
300erwartet ab 23.03.2027
27.44 CHF
21.24 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Datenblatt
151Auf Lager
300erwartet ab 04.11.2026
12.81 CHF
7.46 CHF
7.25 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Datenblatt
83Auf Lager
13.05 CHF
7.55 CHF
7.28 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
1Auf Lager
15.10 CHF
9.63 CHF
8.49 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
96Auf Lager
13.96 CHF
8.39 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Datenblatt
300Auf Lager
3.35 CHF
1.75 CHF
1.57 CHF
1.35 CHF
1.34 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Datenblatt
337erwartet ab 16.02.2027
9.04 CHF
5.17 CHF
4.76 CHF
4.58 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
2.56 CHF
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
13.54 CHF
8.86 CHF
7.75 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
9.58 CHF
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
52.87 CHF
45.93 CHF
40.44 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
2.22 CHF
1.64 CHF
1.38 CHF
1.28 CHF
1.20 CHF
Min.: 50
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube