High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Résultats: 70
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Fiche technique
694En stock
80021.12.2026 attendu
Bande coupée
9.37 CHF
6.63 CHF
4.91 CHF
4.65 CHF
Bobine
4.65 CHF
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
3 278En stock
15.94 CHF
9.54 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Fiche technique
576En stock
44.24 CHF
31.56 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
376En stock
57.51 CHF
45.38 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220
Fiche technique
425En stock
1 00028.12.2026 attendu
21.41 CHF
17.14 CHF
14.82 CHF
13.28 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
Fiche technique
627En stock
9.91 CHF
5.67 CHF
5.26 CHF
5.04 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263
Fiche technique
1 266En stock
Bande coupée
6.34 CHF
3.43 CHF
3.39 CHF
3.27 CHF
Bobine
3.27 CHF
2.85 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Fiche technique
278En stock
Bande coupée
19.69 CHF
14.70 CHF
12.72 CHF
11.40 CHF
Bobine
11.40 CHF
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Fiche technique
902En stock
20.66 CHF
13.28 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
Fiche technique
1 166En stock
12.28 CHF
9.31 CHF
8.79 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
Fiche technique
610En stock
23.76 CHF
15.77 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
679En stock
9.73 CHF
5.35 CHF
5.34 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
Fiche technique
638En stock
11.24 CHF
6.46 CHF
6.40 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Fiche technique
562En stock
11.24 CHF
7.97 CHF
6.97 CHF
5.88 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Fiche technique
583En stock
10.38 CHF
5.83 CHF
5.41 CHF
5.20 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
Fiche technique
1 142En stock
17.04 CHF
10.39 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
214En stock
23.65 CHF
17.65 CHF
17.59 CHF
15.77 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Fiche technique
513En stock
21.54 CHF
13.37 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247
Fiche technique
1 258En stock
12.32 CHF
7.43 CHF
6.33 CHF
5.82 CHF
Afficher
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Fiche technique
287En stock
Bande coupée
23.81 CHF
18.86 CHF
17.59 CHF
15.90 CHF
Bobine
15.90 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220
Fiche technique
475En stock
9.65 CHF
5.56 CHF
5.15 CHF
4.79 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
Fiche technique
486En stock
Bande coupée
12.24 CHF
7.17 CHF
6.79 CHF
Bobine
6.79 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
Fiche technique
648En stock
Bande coupée
11.30 CHF
6.47 CHF
6.12 CHF
Bobine
6.12 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
Fiche technique
355En stock
Bande coupée
10.28 CHF
5.90 CHF
5.44 CHF
5.15 CHF
Bobine
5.15 CHF
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
Fiche technique
381En stock
29.51 CHF
21.94 CHF
20.82 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET