FET GaN – Mouser Suisse

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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Rds On - Résistance drain-source

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Technologie
FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: 1.75 CHF 3 744En stock	Fab. Numéro de référence TP65H480G4JSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	3 744En stock	Bande coupée 1.75 CHF 0.845 CHF 0.729 CHF 0.601 CHF Bobine 0.474 CHF Afficher 0.589 CHF 0.578 CHF 0.45 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 4 000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: 6.85 CHF 2 585En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSG-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	2 585En stock	Bande coupée 6.85 CHF 3.72 CHF 3.42 CHF 3.36 CHF 3.20 CHF Bobine 2.85 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: 6.73 CHF 2 446En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet	Fiche technique	2 446En stock	Bande coupée 6.73 CHF 3.65 CHF 3.35 CHF 3.28 CHF 3.00 CHF Bobine 2.79 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: 1.75 CHF 1 475En stock	Fab. Numéro de référence TP65H480G4JSG-TR Référence Mouser 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	1 475En stock	Bande coupée 1.75 CHF 0.845 CHF 0.713 CHF 0.597 CHF Bobine 0.474 CHF Afficher 0.595 CHF 0.564 CHF 0.45 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 4 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: 6.42 CHF 1 010En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65B110HRU-TR Référence Mouser 227-TP65B110HRU-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch	Fiche technique	1 010En stock	Bande coupée 6.42 CHF 4.35 CHF 3.18 CHF 3.08 CHF 2.86 CHF Bobine 2.62 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 500															SuperGaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 8.57 CHF 1 068En stock 2 60026.04.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PRS-TR Référence Mouser 227-TP65H030G4PRS-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	1 068En stock 2 60026.04.2027 attendu	Bande coupée 8.57 CHF 4.75 CHF 4.51 CHF Bobine 3.84 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 9.02 CHF 1 036En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PWS Référence Mouser 227-TP65H030G4PWS Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	1 036En stock	9.02 CHF 4.98 CHF 4.61 CHF 4.01 CHF Afficher 3.97 CHF Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 8.53 CHF 184En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PQS-TR Référence Mouser 227-TP65H030G4PQS-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	184En stock	Bande coupée 8.53 CHF 4.73 CHF 4.47 CHF 4.45 CHF 4.17 CHF Bobine 3.80 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: 8.41 CHF 519En stock	Fab. Numéro de référence TP65H050G4YS Référence Mouser 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet	Fiche technique	519En stock	8.41 CHF 4.57 CHF 3.73 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: 6.69 CHF 673En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4PS Référence Mouser 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220 En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet	Fiche technique	673En stock	Bande coupée 6.69 CHF 3.68 CHF 3.37 CHF 2.85 CHF Bobine 2.85 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: 6.87 CHF 1 608En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4RS-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet	Fiche technique	1 608En stock	Bande coupée 6.87 CHF 3.73 CHF 3.43 CHF 3.36 CHF Bobine 2.86 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: 5.33 CHF 714En stock Nouveau chez Mouser	Fab. Numéro de référence TP65H100G4PS Référence Mouser 227-TP65H100G4PS Nouveau chez Mouser	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220	Fiche technique	714En stock	Bande coupée 5.33 CHF 2.83 CHF 2.58 CHF 2.16 CHF Bobine 2.15 CHF Afficher 2.12 CHF 2.10 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: 4.43 CHF 1 631En stock	Fab. Numéro de référence TP65H150G4PS Référence Mouser 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220 En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	1 631En stock	4.43 CHF 2.36 CHF 2.12 CHF 1.79 CHF 1.78 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1 200: 4.42 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H035G4YS Référence Mouser 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	4.42 CHF	Min. : 1 200 Mult. : 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 3.80 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H050G4QS-TR Référence Mouser 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 3.80 CHF	Min. : 2 000 Mult. : 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2.58 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGBEA-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGBEA Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 2.58 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2.56 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGEA-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGEAT Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 2.56 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 2.76 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H070G4QS-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 2.76 CHF	Min. : 2 000 Mult. : 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1.74 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H100G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 1.74 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3 000: 1.08 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H150G4LSG-TR Référence Mouser 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 1.08 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1.05 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H150G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 1.05 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 240mohm GaN FET in DPAK TP70H240G4ZS-TR Renesas Electronics 1: 2.01 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H240G4ZS-TR Référence Mouser 227-TP70H240G4ZSTR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 240mohm GaN FET in DPAK	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bande coupée 2.01 CHF 0.983 CHF 0.885 CHF 0.704 CHF Bobine 0.585 CHF Afficher 0.693 CHF 0.544 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 500	SMD/SMT	TO-252-3L	N-Channel	1 Channel	700 V	8 A	312 mOhms	20 V	2.5 V	5.4 ns	- 55 C	+ 150 C	31.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP70H300G4JSGB-TR Renesas Electronics 5 000: 0.639 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H300G4JSGB-TR Référence Mouser 227-TP70H300G4JSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 0.639 CHF	Min. : 5 000 Mult. : 5 000 : 5 000					700 V										SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H300G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 0.67 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H300G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP70H300G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 0.67 CHF 0.649 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H300G4LSGH-TR Renesas Electronics 3 000: 0.555 CHF Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H300G4LSGH-TR Référence Mouser 227-TP70H300G4LSGHTR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines	Bobine 0.555 CHF 0.548 CHF 0.523 CHF	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8 A	312 mOhms	20 V	2.5 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	31.2 W	Enhancement	SuperGan	GaN

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