SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

Ergebnisse: 49
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
332Auf Lager
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: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
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689Auf Lager
1 300erwartet ab 17.08.2026
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: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
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1 205Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
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719Auf Lager
Min.: 1
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: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
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560Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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2 652Auf Lager
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Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Datenblatt
858Auf Lager
Min.: 1
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: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Datenblatt
1 659Auf Lager
Min.: 1
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: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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3 764Auf Lager
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: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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2 446Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
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1 778Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
1 475Auf Lager
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Min.: 1
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: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
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1 239erwartet ab 18.09.2026
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: 1 500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

700 V SuperGaN