MOSFET SiC – Mouser Svizzera

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MOSFET CoolSiC™

I MOSFET Infineon CoolSiC™ sono costruiti su un processo di semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per consentire sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità durante il funzionamento. Il portafoglio discreto CoolSiC in alloggiamenti TO e SMD è disponibile nelle classi di tensione 650 V, 1200 V e 1700 V, con valori di resistenza da 27 mΩ fino a 1000 mΩ. La tecnologia trench CoolSiC consente un set di parametri flessibile, utilizzato per l’implementazione di funzionalità specifiche per applicazioni nei rispettivi portafogli di prodotti. Queste caratteristiche includono tensioni gate-source, specifiche a valanga, capacità di cortocircuito o diodo del corpo interno classificato per la commutazione hard.

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Risultati: 30

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Package/involucro

Vds - Tensione di rottura drain-source

Id - corrente di drain continua

Rds On - Drain-source sulla resistenza

Vgs - Tensione gate-source

Vgs th - Tensione di soglia gate-source

Qg - Carica del gate

Temperatura di lavoro massima

Pd - Dissipazione di potenza

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Codice

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10.86 CHF
635A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R045M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

635A magazzino

Nastro continuo

10.86 CHF

7.39 CHF

6.46 CHF

6.06 CHF

Nastrati

5.33 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.20 CHF
368A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZ120R140M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Scheda dati

368A magazzino

5.20 CHF

3.92 CHF

3.37 CHF

2.88 CHF

2.85 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7.07 CHF
323A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R060M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

323A magazzino

Nastro continuo

7.07 CHF

5.40 CHF

4.22 CHF

Nastrati

3.59 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.53 CHF
432A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW65R048M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

432A magazzino

8.53 CHF

5.05 CHF

4.26 CHF

3.83 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 4.78 CHF
437A magazzino
Fine vita

Produttore Codice prodotto
IMZA65R107M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fine vita

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Scheda dati

437A magazzino

4.78 CHF

3.13 CHF

3.12 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6.46 CHF
859A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R090M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

859A magazzino

Nastro continuo

6.46 CHF

4.56 CHF

3.41 CHF

3.39 CHF

Nastrati

3.14 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.90 CHF
3 860A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R140M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

3 860A magazzino

Nastro continuo

5.90 CHF

3.85 CHF

2.90 CHF

Nastrati

2.62 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.56 CHF
434A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW65R072M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

434A magazzino

6.56 CHF

4.08 CHF

3.43 CHF

3.25 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12.47 CHF
1 469A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZA65R027M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

1 469A magazzino

12.47 CHF

7.74 CHF

7.09 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 4.23 CHF
5 640A magazzino
4 00007.10.2026 previsto

Produttore Codice prodotto
IMBF170R1K0M1XTMA1

Codice Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

5 640A magazzino

4 00007.10.2026 previsto

Nastro continuo

4.23 CHF

2.81 CHF

2.01 CHF

1.78 CHF

Nastrati

1.66 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12.59 CHF
686A magazzino
1 00027.08.2026 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R030M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

686A magazzino

1 00027.08.2026 previsto

Nastro continuo

12.59 CHF

8.86 CHF

7.56 CHF

Nastrati

7.05 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5.13 CHF
2 512A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R220M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

2 512A magazzino

Nastro continuo

5.13 CHF

3.35 CHF

2.48 CHF

2.32 CHF

Nastrati

2.18 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: 4.84 CHF
1 196A magazzino
1 00028.01.2027 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMBG120R350M1HXTMA1

Codice Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Scheda dati

1 196A magazzino

1 00028.01.2027 previsto

Nastro continuo

4.84 CHF

3.17 CHF

2.34 CHF

2.07 CHF

Nastrati

1.84 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7.20 CHF
697A magazzino
72020.05.2027 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW120R090M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Scheda dati

697A magazzino

72020.05.2027 previsto

7.20 CHF

4.20 CHF

3.54 CHF

3.40 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.84 CHF
250A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW120R140M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Scheda dati

250A magazzino

5.84 CHF

3.71 CHF

3.11 CHF

2.88 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.75 CHF
1 518A magazzino
3 12031.08.2026 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW120R220M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Scheda dati

1 518A magazzino

3 12031.08.2026 previsto

5.75 CHF

3.45 CHF

2.87 CHF

2.60 CHF

2.43 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.04 CHF
597A magazzino
24004.02.2027 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW120R350M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Scheda dati

597A magazzino

24004.02.2027 previsto

5.04 CHF

2.86 CHF

2.39 CHF

2.12 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5.06 CHF
297A magazzino
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZ120R350M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Scheda dati

297A magazzino

5.06 CHF

3.10 CHF

2.64 CHF

2.39 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 5.85 CHF
46A magazzino
11 000In ordine

Produttore Codice prodotto
IMBF170R450M1XTMA1

Codice Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

46A magazzino

11 000In ordine

Nastro continuo

5.85 CHF

3.93 CHF

3.18 CHF

2.82 CHF

Nastrati

2.50 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: 4.85 CHF
57A magazzino
2 000In ordine

Produttore Codice prodotto
IMBF170R650M1XTMA1

Codice Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

57A magazzino

2 000In ordine

Nastro continuo

4.85 CHF

3.25 CHF

2.33 CHF

2.13 CHF

Nastrati

1.99 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13.55 CHF
48010.09.2026 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW120R030M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Scheda dati

48010.09.2026 previsto

13.55 CHF

9.07 CHF

7.73 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11.99 CHF
71A magazzino
1 680In ordine
NRND

Produttore Codice prodotto
IMW65R027M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

71A magazzino

1 680In ordine

11.99 CHF

7.54 CHF

6.80 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9.12 CHF
65A magazzino
96027.08.2026 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZ120R060M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Scheda dati

65A magazzino

96027.08.2026 previsto

9.12 CHF

5.81 CHF

4.53 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 6.37 CHF
43A magazzino
1 920In ordine
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZ120R220M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Scheda dati

43A magazzino

1 920In ordine

6.37 CHF

4.21 CHF

3.36 CHF

3.09 CHF

2.80 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8.72 CHF
42A magazzino
24024.08.2026 previsto
NRND

Produttore Codice prodotto
IMZA65R048M1HXKSA1

Codice Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Maggiori informazioni

Scheda dati

42A magazzino

24024.08.2026 previsto

8.72 CHF

5.49 CHF

4.88 CHF

4.44 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFET CoolSiC™

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms