SiC MOSFET – Mouser Suisse

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MOSFET CoolSiC™

Les MOSFET CoolSiC™ d'Infineon s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour permettre à la fois les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité en fonctionnement. La gamme de CoolSiC discret en boîtiers TO et CMS est disponible en classes de tensions de 650 V, 1 200 V et 1 700 V, avec une résistance en marche nominale de 27 mΩ à 1 000 mΩ. La technologie de tranchée CoolSiC permet un ensemble de paramètres flexible, qui est utilisé pour la mise en œuvre de caractéristiques spécifiques aux applications dans les portefeuilles de produits respectifs. Ces caractéristiques comprennent des tensions grille-source, des spécifications d’avalanche, une capacité de court-circuit ou une diode de corps interne nominale pour commutation dure.

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Résultats: 29

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Style de montage

Package/Boîte

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement max.

Pd - Dissipation d’énergie

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.63 CHF 825En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R090M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	825En stock	Bande coupée 5.63 CHF 3.88 CHF 3.50 CHF 3.33 CHF Bobine 3.28 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11.17 CHF 617En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R045M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	617En stock	Bande coupée 11.17 CHF 6.80 CHF 6.32 CHF Bobine 5.97 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5.07 CHF 368En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R140M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	368En stock	5.07 CHF 3.52 CHF 3.29 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8.39 CHF 303En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R060M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	303En stock	Bande coupée 8.39 CHF 4.67 CHF 4.40 CHF Bobine 4.17 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12.59 CHF 370En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R030M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	370En stock	12.59 CHF 8.50 CHF 8.10 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 13.17 CHF 2 254En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R030M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	2 254En stock	Bande coupée 13.17 CHF 7.89 CHF Bobine 7.37 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6.16 CHF 6 541En stock 9 000Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBF170R450M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	6 541En stock 9 000Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBF170R450M1XTMA1 Stock: 6 541 Expédition possible immédiatement Sur commande: 3 000 08.07.2027 attendu 6 000 À déterminer Délai usine : 52 Semaines	Bande coupée 6.16 CHF 4.12 CHF 3.31 CHF 2.95 CHF Bobine 2.61 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.05 CHF 1 420En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R350M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	1 420En stock	Bande coupée 5.05 CHF 3.30 CHF 2.44 CHF 2.21 CHF Bobine 2.21 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7.44 CHF 1 054En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R090M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	1 054En stock	7.44 CHF 3.99 CHF 3.67 CHF 3.49 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5.82 CHF 3 851En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R220M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	3 851En stock	5.82 CHF 3.03 CHF 2.79 CHF 2.78 CHF 2.52 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11.77 CHF 1 701En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R027M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 701En stock	11.77 CHF 7.08 CHF 6.98 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8.66 CHF 341En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R048M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	341En stock	8.66 CHF 4.71 CHF 4.35 CHF 4.32 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9.23 CHF 855En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R060M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	855En stock	9.23 CHF 6.68 CHF 5.56 CHF 4.95 CHF 4.63 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7.85 CHF 950En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R090M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	950En stock	7.85 CHF 4.23 CHF 3.90 CHF 3.75 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8.38 CHF 298En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R048M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	298En stock	8.38 CHF 4.82 CHF 4.46 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5.48 CHF 2 436En stock	Fab. Numéro de référence IMBF170R650M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	2 436En stock	Bande coupée 5.48 CHF 3.59 CHF 2.64 CHF 2.35 CHF Bobine 2.08 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6.05 CHF 3 842En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R140M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	3 842En stock	Bande coupée 6.05 CHF 3.25 CHF 2.97 CHF Bobine 2.76 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.36 CHF 2 469En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG120R220M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Fiche technique	2 469En stock	Bande coupée 5.36 CHF 2.85 CHF 2.56 CHF Bobine 2.27 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8.92 CHF 45En stock 720Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R060M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	45En stock 720Sur commande	8.92 CHF 6.30 CHF 5.26 CHF 4.68 CHF 4.37 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6.41 CHF 314En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R072M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	314En stock	6.41 CHF 3.68 CHF 3.43 CHF 3.29 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6.09 CHF 463En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R107M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	463En stock	6.09 CHF 3.19 CHF 2.94 CHF 2.71 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5.73 CHF 44En stock 960Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R350M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	44En stock 960Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMW120R350M1HXKSA1 Stock: 44 Expédition possible immédiatement Sur commande: 720 03.12.2026 attendu 240 10.12.2026 attendu Délai usine : 52 Semaines	5.73 CHF 3.75 CHF 2.77 CHF 2.45 CHF 2.17 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6.58 CHF 19En stock 2 160Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R220M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	19En stock 2 160Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMZ120R220M1HXKSA1 Stock: 19 Expédition possible immédiatement Sur commande: 960 25.03.2027 attendu 1 200 15.04.2027 attendu Délai usine : 52 Semaines	6.58 CHF 4.40 CHF 3.54 CHF 3.14 CHF 2.79 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5.76 CHF 179En stock 24028.01.2027 attendu NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R350M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Fiche technique	179En stock 24028.01.2027 attendu	5.76 CHF 3.85 CHF 3.10 CHF 2.74 CHF 2.43 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12.80 CHF 17En stock 3 600Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R027M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	17En stock 3 600Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMZA65R027M1HXKSA1 Stock: 17 Expédition possible immédiatement Sur commande: 1 680 05.10.2027 attendu 1 920 À déterminer Délai usine : 52 Semaines	12.80 CHF 7.25 CHF 7.19 CHF 7.18 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC