NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
Datenblatt
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
Datenblatt
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
Datenblatt
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
Alliance Memory AS5F18G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND-Flash SPI SLC NAND-Flash, 8Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
Datenblatt
352Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT LGA-8 8 Gbit Quad SPI 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND-Flash 1G 3V x8 1-bit NAND-Flash
Datenblatt
35erwartet ab 18.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 55

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
SkyHigh Memory NAND-Flash SLC,1Gb,3x,3V,x8,4bit,VBM63,
Datenblatt
Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT BGA-63 S34ML01G2 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 105 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray