NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
GigaDevice GD5F2GM7UEWIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F2GM7UEYIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice GD5F4GM8REBIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

Tray
GigaDevice GD5F4GM8REWIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 Reel
GigaDevice GD5F4GM8REYIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 Reel
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI Synchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD5F4GM8UEWIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 Reel
GigaDevice GD5F4GM8UEYIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
SMD/SMT WSON-8 Reel
GigaDevice GD9AS2G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

Tray
GigaDevice GD9AS2G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AS4G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

Tray
GigaDevice GD9AS4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AU2G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

Tray
GigaDevice GD9AU2G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AU4G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

Tray
GigaDevice GD9AU4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice GD9FS4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray