Tube MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Datenblatt
411Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Datenblatt
299Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Datenblatt
2 102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1 901Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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6 774Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
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13 277Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube

onsemi MOSFETs SF3 650V 50MOHM
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1 908Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFETs 500V 20A NCH MOSFET
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7 438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
Datenblatt
10 888Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
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273Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
Datenblatt
16 463Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
726Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Datenblatt
10 843Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Datenblatt
3 266Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
1 542Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
5 829Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
2 785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
Datenblatt
6 655Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
Datenblatt
17 394Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V 57A 300W
Datenblatt
8 374Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 57 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
Datenblatt
17 945Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V
Datenblatt
9 640Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SuperFET2 800V
Datenblatt
1 485Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
4 424Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Datenblatt
3 894Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube