HiPerFET MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 230A 200V
Datenblatt
368erwartet ab 04.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 82 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN100N50 Tube
IXYS MOSFET-Module 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 570 W IXFN102N30 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 17 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 690 W IXFN140N25 Tube
IXYS MOSFET-Module 138 Amps 300V 0.018 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 138 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN170N30 Tube
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN240N15 Tube
IXYS MOSFET-Module MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.5 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 695 W Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 170 V 260 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 kW IXFN320N17 Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 28 A 320 mOhms - 30 V, + 30 V + 150 C 780 W IXFN32N1003 Tube
IXYS MOSFET-Module 29 Amps 800V 0.27 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 29 A 270 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 625 W IXFN32N80 Tube
IXYS MOSFET-Module 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227B-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 37 A 165 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 900 V 43 A 160 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN52N90 Tube
IXYS MOSFET-Module 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 65 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 mW Tube
IXYS MOSFET-Module Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN80N60 Tube
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS MOSFET-Module MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel 500 V 68 A 55 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 780 W Tube
IXYS MOSFET-Module 100V 200A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 A 5.5 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 175 C 550 W IXTN200N10T- Gen1 Tube
IXYS MOSFET-Module 27 Amps 800V 0.32 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 38 A 250 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN38N100 Tube
IXYS MOSFET-Module 80 Amps 500V 0.06 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 60 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W HiPerFET Tube