STMicroelectronics IGBTs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 238 W - 55 C + 175 C STGWA40IH65DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Datenblatt
Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB-4 Tube
STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG
STMicroelectronics IGBTs Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

L9965P Reel
STMicroelectronics GWA75H65DRFB2AG
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Tube
STMicroelectronics STG200G65FD8AG
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650V 200A high-efficiency M series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 172
Mult.: 1

STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB25N36LZAG
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics STGFW50HP65FB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 600
Mult.: 300

Tube
STMicroelectronics STGH50H65B2-7AG
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

Reel
STMicroelectronics STGP8H60DF2
STMicroelectronics IGBTs Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics STGWA30H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGF30H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

- 20 V, 20 V Tube
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGB6M65DF2 Reel
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10M65DF2