STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 20 A
Kriechstrom Gate-Emitter: +/- 250 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99