EPAD MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
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Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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29Auf Lager
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Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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