SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs und -Dioden bieten eine leistungsstarke Kombination von einem höheren Wirkungsgrad in anspruchsvollen Applikationen. Diese MOSFETs und Schottky-Dioden sind für den Einsatz in Hochleistungsapplikationen ausgelegt. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs verfügen über einen stabilen R_ds(on) -Übertemperatur- und Avalanche-Robustheit. Diese MOSFETs sind robuste Body-Dioden, die keine externen Dioden erfordern und einfacher anzusteuern sind, da sie einen 15-V-Gate-Drive bieten. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs bieten einen verbesserten Wirkungsgrad auf Systemebene mit geringeren Schalt-und Leitungsverlusten und einer verbesserten Leistungsdichte auf Systemebene.

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Verpackung/Gehäuse

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Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

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Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Qualifikation

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial

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TO-263-7

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17 A

208 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.6 V

24 nC

- 55 C

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3.8 V

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69 A

55 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

118 nC

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278 W

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TO-263-7

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1.2 kV

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70 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

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294 W

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3.8 V

52 nC

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+ 150 C

172 W

Enhancement

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

280 mOhms

- 8 V, + 19 V

2.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

AEC-Q101

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TO-247-4

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1.2 kV

66 A

70 mOhms

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3.8 V

94 nC

- 40 C

+ 175 C

242 W

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

C3M0075120K1
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N-Channel

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32 A

135 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

145 W

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1.2 kV

17.9 A

280 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.8 V

32 nC

- 40 C

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103 W

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35 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

169 nC

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+ 175 C

500 W

Enhancement

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E3M0032120J2-TR
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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1.2 kV

74 A

55 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

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E3M0040120J2-TR
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1: 10.22 CHF
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

63 A

70 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3

E3M0075120J2-TR
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3.50 CHF

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3.50 CHF

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

135 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

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1.2 kV

63 A

32 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.6 V

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283 W

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C3M0160120D
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C3M0160120D

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial

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1.2 kV

17 A

160 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.6 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

97 W

Enhancement

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial

C3M0350120J
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C3M0350120J

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1.2 kV

7.2 A

455 mOhms

- 8 V, + 19 V

3.6 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

C3M0016120K1
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880erwartet ab 20.03.2026
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556 W

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Wolfspeed
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SiC-MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

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894Auf Bestellung

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6.51 CHF

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1.2 kV

63 A

32 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.6 V

118 nC

- 40 C

+ 175 C

283 W

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3

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SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive

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TO-247-4

1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

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