SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
SemiQ MOSFET-Module 1200V SiC MOSFET Power Module
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 57 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V - 55 C + 175 C 242 W Tube
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 2 V - 55 C + 175 C 142 W Tube
SemiQ MOSFET-Module 1200V SiC COPACK Power Module
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 57 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V - 55 C + 175 C 242 W Tube
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 113 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 395 W GCMX Tube