SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Microchip Technology SiC-MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
Datenblatt
862Auf Lager
270erwartet ab 18.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Datenblatt
150Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 323 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
Datenblatt
318Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 68 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
Datenblatt
217Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Datenblatt
14Auf Lager
120erwartet ab 18.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
Datenblatt
55Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
Datenblatt
45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
Datenblatt
592erwartet ab 16.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement