SiC-Leistungsmodule

Die SiC-Leistungsmodule von ROHM Semiconductor sind SiC-Halbbrückenmodule mit einem SiC-MOSFET und SiC-SBD in einem einzigen Gehäuse. Diese Module unterstützen den Hochfrequenzbetrieb durch verringerte Schaltverluste. Das optimierte Design reduziert die Streuinduktivität im Vergleich zu bestehenden Lösungen. Und um eine übermäßige Wärmeerzeugung zu verhindern, werden Modelle vom Typ E mit einem zusätzlichen Thermistor angeboten.

Ergebnisse: 14
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Datenblatt
11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 300A SiC Power Module
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Mod: 1200V 180A (no Diode)
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 447 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk