1.200-V-CoolSiC™-Module

Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

Si/SiC Hybrid Modules Tray