PolarHT MOSFET-Module

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
IXYS MOSFET-Module IXTT140N10P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 600 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTT96N20P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 600 W Reel