Linear MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 62 Amps 500V
Datenblatt
240erwartet ab 02.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 62 A 100 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 800 W IXTN62N50 Tube
IXYS MOSFET-Module 17 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 900 mOhms - 30 V, + 30 V 6 V - 55 C + 150 C 540 W IXTN17N120 Tube