MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x n-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs bieten eine höhere Leistung im Vergleich zu Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senken gleichzeitig die Gesamtkosten in Hochspannungsapplikationen. Die MSC017SMA120x SiC-MOSFETs von Microchip bieten einen hohen Wirkungsgrad, um ein leichteres, kompakteres System mit verbesserten thermischen Fähigkeiten und niedrigeren Schaltverlusten zu ermöglichen.

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Datenblatt
160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 357 W Tube
Microchip Technology MOSFET-Module MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
Datenblatt
100erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 278 W Tube