Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™

Die Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™ von IXYS sind für hocheffiziente und schnelle Leistungsschaltapplikationen konzipiert. Die Ultra-Junction-MOSFETs der X2-Klasse bieten eine geringe Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Diese MOSFETs sind in vielen Standard-Industriegehäusen, einschließlich isolierter Typen, erhältlich. Typische Anwendungsfälle sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, DC/DC-Wandler, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik und Servosteuerungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 650V/108A Ultra Junction X2-Class
Datenblatt
254Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 108 A 24 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 890 W 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFET-Module 650V/78A miniBLOC SOT-227
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 78 A 30 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 595 W 650V Ultra Junction X2 Tube
IXYS MOSFET-Module 650V/145A Ultra Junction X2-Class
Datenblatt
11Auf Lager
436Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 17 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 mW 650V Ultra Junction X2 Tube