X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
Datenblatt
177Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 125 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 W X-Class Tube
IXYS MOSFET-Module 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
Datenblatt
187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 65 A 89 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS MOSFET-Module 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
Datenblatt
157Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 110 A 33 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.17 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET-Module 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 65 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 830 mW Tube
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube