HiPerFET- und MOSFET-Leistungsbauteile

IXYS HiPerFET und MOSFET Strom-Bauteile sind im SMPD-Gehäuse erhältlich, das wesentlich leichter ist (typischerweise um 50 %) als vergleichbare konventionelle Leistungsmodule. Dies ermöglicht es dem Designer, Leistungssysteme mit geringerem Gewicht zu erstellen. Dank seines kompakten und ultraflachen Profilgehäuses ist es möglich, denselben Kühlkörper für mehrere Bauteile zu verwenden, was Platz auf der Leiterplatte spart. Ein weiterer Vorteil des kleineren und leichteren Designs besteht darin, dass es einen besseren Schutz vor Vibrationen und G-Kräften bietet, insbesondere wenn es in tragbaren Geräten verwendet wird. Dieser Vorteil erhöht auch die Lebensdauer und Zuverlässigkeit der Bauteile.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Serie Verpackung
IXYS MOSFET-Module 24SMPD N-CH 75V 500A 11Auf Lager
1 120erwartet ab 23.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 75 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX1F210N30P3
IXYS MOSFET-Module SMPD 300V 108A N-CH POLAR3 260Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 300 V 108 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX1T660N04T4
IXYS MOSFET-Module Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 40 V 660 A 850 uOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX2F60N50P3
IXYS MOSFET-Module SMPD 500V 30A N-CH POLAR3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT N-Channel 500 V 30 A 120 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 320 W HiPerFET Tube